講演情報
[9a-PA1-30]成長条件制御による Ba2AgSi3薄膜の室温熱電性能向上
〇梶原 君円1、篠原 大河1、竹嶋 暉2、幸田 陽一朗2、召田 雅実2、都甲 薫1、末益 崇1 (1.筑波大院、2.東ソー株式会社)
キーワード：
熱電材料、薄膜半導体、環境調和型材料
Ba2AgSi3は組成比に応じた伝導型変調が報告されており、50 ℃においてp型伝導を示したバルク試料では高いZTが報告されている。我々はこれまでに、MBE法によるBa2AgSi3薄膜の成長に成功するとともに、Ba/Ag比を約2.0に制御することで良好な結晶性および熱電特性が得られることを明らかにしてきた。本研究では、これらの知見を踏まえ、成長条件のさらなる最適化を目的として、Ba/Ag比を約2.0に保った条件下でSi供給量を制御し、Ba2AgSi3薄膜の結晶性および室温付近における熱電特性に及ぼす影響を評価した。その結果、Si供給量の制御によって結晶性および熱電特性が改善し、室温において推定ZT = 0.51を達成した。