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[9a-PA2-2]Non-destructive evaluation of high-aspect-ratio Si trench bottoms via ARXPS -An Approach to Uniformizing Large-Area Si Trench Structures Using Wet Etching-
〇Taizo Kawashima1, Shiika Murase1, Kouji Inagaki1, Kenta Arima1 (1.UOsaka)
Keywords:
Si surface,X-ray Photoelectron Spectroscopy,Metal Assisted Chemical Etching
高集積半導体デバイスの三次元構造底部を非破壊で評価するため、ARXPS の検出角度最適化を用いた手法を提案している。原理検証に必要な高アスペクト比 Si トレンチを MACE で作製するため、Au 蒸着レートを検討した．3.0 Å/s では触媒粒子によりトレンチに曲がりが生じ、0.2 Å/s では島状成長による不均一エッチングが生じた。1.0 Å/s では平滑な連続膜が形成され、広域で均一な垂直トレンチが得られた。