講演情報
[9a-PA2-2]高アスペクト比 Si 構造の底部を対象とした非破壊表面評価法― ウェットエッチングを援用した大面積 Si トレンチ構造均一化の試み ―
〇川島 汰三1、村瀬 詩花1、稲垣 耕司1、有馬 健太1 (1.阪大院工)
キーワード：
Si表面、X線光電子分光法、金属アシストエッチング
高集積半導体デバイスの三次元構造底部を非破壊で評価するため、ARXPS の検出角度最適化を用いた手法を提案している。原理検証に必要な高アスペクト比 Si トレンチを MACE で作製するため、Au 蒸着レートを検討した．3.0 Å/s では触媒粒子によりトレンチに曲がりが生じ、0.2 Å/s では島状成長による不均一エッチングが生じた。1.0 Å/s では平滑な連続膜が形成され、広域で均一な垂直トレンチが得られた。