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[9a-PA7-3]Evaluation of Spin-Dependent Photoluminescence in GaAsBi and GaAsN Toward Spin Device Applications
〇Naruhiro Nishitani1, Yuya Katayama1, Sangmin Ji1, Toshiki Makimoto2, Masahiro Yoshimoto3, Yoji Kunihashi4, Haruki Sanada4, Hideki Gotoh1,4 (1.Hiroshima Univ., 2.Waseda Univ., 3.Kyoto Institute of Technology, 4.NTT-BRL)
Keywords:
Photoluminescence,Circular Polarization
スピンデバイスの実現にはスピン軌道相互作用（SOI）やスピン緩和を考慮しなければならないが，その光物性への影響は十分に解明されていない．本研究では，GaAsBiとGaAsNにおけるスピン緩和を，偏光分離フォトルミネッセンス（PL）を用いた評価を試みた．PL強度から換算される円偏光度の温度依存性を比較した結果，2種類の試料で異なる傾向が確認された．この原因は，円偏光度に含まれるスピン緩和の情報やバンド構造，運動量緩和時間など様々な影響が考えられる．