講演情報
[9a-PA7-3]スピンデバイス応用に向けたGaAsBi, GaAsNにおけるスピン依存発光の評価
〇西谷 育大1、片山 裕也1、Ji Sangmin1、牧本 俊樹2、吉本 昌弘3、国橋 要司4、眞田 治樹4、後藤 秀樹1,4 (1.広島大、2.早稲田大、3.京都工繊大、4.NTT物性基礎研)
キーワード：
フォトルミネッセンス、円偏光
スピンデバイスの実現にはスピン軌道相互作用（SOI）やスピン緩和を考慮しなければならないが，その光物性への影響は十分に解明されていない．本研究では，GaAsBiとGaAsNにおけるスピン緩和を，偏光分離フォトルミネッセンス（PL）を用いた評価を試みた．PL強度から換算される円偏光度の温度依存性を比較した結果，2種類の試料で異なる傾向が確認された．この原因は，円偏光度に含まれるスピン緩和の情報やバンド構造，運動量緩和時間など様々な影響が考えられる．