[9a-PB4-1~27] 12.4 Organic light-emitting devices, organic transistors, and flexible devices

[9a-PB4-22] Development of low-power memory devices based on perovskite organic electrochemical transistors and operando measurement of charge states

〇(D)Taiki Sakaguchi¹, Sayo Okabe¹, Yukihiro Shimoi^1,2, Tsubasa Okamoto^1,2, Kazuhiro Marumoto^1,2,3 (1.Dep. of Mater. Sci., Univ. of Tsukuba, 2.OIQSST, Univ. of Tsukuba, 3.TREMS, Univ. of Tsukuba)

Keywords:

organic electrochemical transistor,memory,electron spin resonance

近年、溶液プロセスにより低コストで作製が可能な塗布型トランジスタが注目を集めている。本研究では、ペロブスカイトとP3HTの積層膜を半導体層とし、誘電体にイオンゲルを用いたペロブスカイト有機電気化学トランジスタを作製して、電気的特性と電荷状態を評価した。作製されたデバイスについて、ゲート電圧の印加頻度等に対するメモリ効果をもちながら、ノーマリーオフ特性に近い動作を示すことを実証した。