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[9p-A11-3]Thermodynamics of the H-Induced Insulating Transition Revealed by the HxVO2 Phase Diagram
〇Satoshi Hamasuna1, Takeaki Yajima1 (1.Kyushu Univ.)
Keywords:
oxide,proton transport,vanadium dioxide
VO2はプロトンの可逆導入が可能で，電気抵抗を5桁も増加させる．この特性からヘテロ構造におけるプロトン機能のデバイス応用が期待されている．しかし，これまでに水素分圧に対しての相図は作製されておらず，熱力学的パラメータを定量的に評価することは困難であった．本研究ではPdナノ粒子を分散させた単結晶VO2薄膜を用いて，相図を作製し水素誘起絶縁転移に伴う水素組成とエントロピーの変化について熱力学的考察を行った．