講演情報
[9p-A11-3]HxVO2相図から読み解く水素誘起絶縁転移の熱力学
〇浜砂 智1、矢嶋 赳彬1 (1.九大)
キーワード：
酸化物、プロトン輸送、二酸化バナジウム
VO2はプロトンの可逆導入が可能で，電気抵抗を5桁も増加させる．この特性からヘテロ構造におけるプロトン機能のデバイス応用が期待されている．しかし，これまでに水素分圧に対しての相図は作製されておらず，熱力学的パラメータを定量的に評価することは困難であった．本研究ではPdナノ粒子を分散させた単結晶VO2薄膜を用いて，相図を作製し水素誘起絶縁転移に伴う水素組成とエントロピーの変化について熱力学的考察を行った．