[9p-C214-1~18] 12.4 Organic light-emitting devices, organic transistors, and flexible devices

3:15 PM - 3:30 PM JST(6:15 AM - 6:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9p-C214-6] Investigation of Hole Injection Layer for Improving the Current of Organic Static Induction Transistors by Solution Process

〇Saki Shoji¹, Ren Iwata¹, Ren Horiuchi¹, Yasuyuki Watanabe¹ (1.Suwa Univ. of Sci.)

Keywords:

organic static induction transistors,vertical type organic transistors,solution process

本研究では，有機静電誘導トランジスタ(OSIT)の量産化によるRFIDタグ等の製品実用化を目的とし，有機トランジスタの諸課題を克服すべく，塗布プロセスを用いたOSIT作製の基礎を検討する。P3HTを採用したOSITの電流値向上に向けて，正孔注入層の挿入位置を変えた素子を作製し，電流電圧特性を評価した。この結果から，オン電流の増加に寄与する素子構造が得られ，ゲート電極狭小化技術と組み合わせることで，オンオフ比向上が示唆された。