講演情報
[9p-C214-6]塗布型有機静電誘導トランジスタの電流値向上に向けた正孔注入層の検討
〇庄司 早希1、岩田 蓮1、堀内 廉1、渡邊 康之1 (1.公立諏訪東京理科大)
キーワード：
有機静電誘導トランジスタ、縦型有機トランジスタ、塗布プロセス
本研究では，有機静電誘導トランジスタ(OSIT)の量産化によるRFIDタグ等の製品実用化を目的とし，有機トランジスタの諸課題を克服すべく，塗布プロセスを用いたOSIT作製の基礎を検討する。P3HTを採用したOSITの電流値向上に向けて，正孔注入層の挿入位置を変えた素子を作製し，電流電圧特性を評価した。この結果から，オン電流の増加に寄与する素子構造が得られ，ゲート電極狭小化技術と組み合わせることで，オンオフ比向上が示唆された。