[9p-E208-1~11] 7.3 Micro/Nano patterning and fabrication

2:15 PM - 2:30 PM JST(5:15 AM - 5:30 AM UTC)

[9p-E208-4] Resist Sensitivity Evaluation Using Short-Wavelength EUV at NewSUBARU

〇(M1)Takanari Nishida¹, Shinji Yamakawa¹, Masashi Yoshimura², Naoki Hayase¹, Tetsuo Harada¹ (1.Hyogo Univ, 2.SPring-8 Service)

Keywords:

Short-wavelength EUV,EUV lithography,resist sensitivity

半導体微細化のために次世代の露光波長として波長6.7 nmやさらに短波長の3.1 nmが有望視されている。EUVレジストは炭素、酸素、硫黄などの軽元素を多く含むため、短波長EUV領域ではこれらの吸収特性の変化が顕著となりレジスト感度に大きな影響を与える。レジスト特性を正しく理解するには、実際の露光波長での評価が不可欠である。本研究ではNewSUBARU放射光施設を用い、3.1 nm 、4.0 nm、4.4 nm、 6.7 nm、でのレジスト感度測定を行った。