[9p-E308-1~15] 8.1 Plasma production and diagnostics

5:30 PM - 5:45 PM JST(8:30 AM - 8:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9p-E308-15] Pulsed Raman-Based Substrate Temperature Measurement during Plasma CVD and Quantitative Analysis of Plasma-Induced Errors in Radiation Thermometry

〇Kaishu Nitta¹, Takehiro Shimaoka¹, Akiyoshi Chayahara¹, Nobuteru Tsubouchi¹, Yoshiaki Mokuno¹, Hideaki Yamada¹ (1.AIST)

Keywords:

plasma CVD,radiation pyrometry,pulsed Raman

プラズマ化学気相成長（CVD）において基板温度は成長を支配する重要なパラメータであり、放射温度測定によるモニタリングが広く行われている。本研究では、パルスラマン分光によりプラズマ越しでも高精度な基板温度計測を実現し、その温度を基準として放射測温におけるプラズマ誘起誤差を評価した。炭素含有プラズマ下では、発光が熱放射に重畳することで系統的な温度誤差が生じ、数値解析によりその発生機構を明らかにした。