Presentation Information
[9p-PA1-10]Raman Spectroscopic Study of α-Ga2O3 Thick Films Grown on Sapphire Substrates by Mist CVD
〇(M2)Kotaro Etokoro1, Sota Otsuji1, Atsunobu Masuno1, Kentaro Kaneko2, Katsuhisa Tanaka1 (1.Kyoto Univ., 2.Ritsumeikan Univ.)
Keywords:
alpha-Ga2O3,raman spectroscopy
我々はこれまで、サファイア基板への微細パターン形成による、低転位密度かつ厚膜(約10 µm) のα-Ga2O3の作製を報告してきたが、得られた厚膜の特性評価は未だ十分に行われていない。特に、厚膜化に伴う応力状態やクラック発生との関係については十分な知見が得られていない。ラマン分光法は結晶構造や応力状態を非破壊で評価できる手法であり、α-Ga2O3厚膜の評価に有効であると考えられる。そこで今回は、数時間の成長により作製したα-Ga2O3厚膜についてラマン分光測定を行い、構造を解析した。