[9p-PA2-1~51] 11 Superconductivity (Poster)

[9p-PA2-51] Characterization of Nb/Al-AlO_x/Nb Trilayer Films Deposited on R-plane Sapphire Substrates

〇(D)Tomohiro Hirama¹, Yasushi Ishiguro¹, Takashi Tachiki¹ (1.NDA)

Keywords:

superconductor,Josephson Junction,Nb

Nb薄膜を用いた超伝導デバイスの特性向上にはNb薄膜自体の結晶性向上が必要である。前回、我々はR面サファイア基板上に基板温度800℃でDCマグネトロンスパッタにより成膜したNb薄膜が、Nb[111] || Al₂O₃[0001]とNb[110] || Al₂O₃[11-20]のエピタキシャル関係を満たし、R面サファイアに対してNb(001)が2.87º傾いて面内配向することと得られた薄膜の残留抵抗比が53.4になることを報告した。本研究では下部Nb薄膜は上述と同じ成膜条件、上部Nb薄膜は基板温度を変化させて成膜し、Nb/Al-AlO_x/Nbの三層膜の特性を評価した。