講演情報
[9p-PA2-51]R面サファイア基板上のNb/Al-AlOx/Nb三層膜の特性評価
〇(D)平間 友博1、石黒 康志1、立木 隆1 (1.防衛大)
キーワード：
超伝導体、ジョセフソン接合、Nb
Nb薄膜を用いた超伝導デバイスの特性向上にはNb薄膜自体の結晶性向上が必要である。前回、我々はR面サファイア基板上に基板温度800℃でDCマグネトロンスパッタにより成膜したNb薄膜が、Nb[111] || Al2O3[0001]とNb[110] || Al2O3[11-20]のエピタキシャル関係を満たし、R面サファイアに対してNb(001)が2.87º傾いて面内配向することと得られた薄膜の残留抵抗比が53.4になることを報告した。本研究では下部Nb薄膜は上述と同じ成膜条件、上部Nb薄膜は基板温度を変化させて成膜し、Nb/Al-AlOx/Nbの三層膜の特性を評価した。