Presentation Information
[15p-PB1-35]Electric voltage effect of anisotropic magnetoresistance at an La1-xSrxMnO3/0.7Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.3PbTiO3 heterostructure
〇Sorana Iwatsubo1, Sachio Komori1, Tomoyasu Taniyama1 (1.Nagoya Univ.)
Keywords:
spintronics,multiferroic,anisotropic magnetoresistance
LSMO/PMN-PTヘテロ構造は電場を印加することで物性を変調させられる可能性があり、省エネルギー情報記録デバイスの候補物質として注目されている。しかし、その具体的な物性変調機構は詳細には分かっていない。本研究では異方性磁気抵抗効果の電場変調からその物性変調のメカニズムについて議論する。