[16p-W9_327-1~16] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

2:00 PM - 2:15 PM JST(5:00 AM - 5:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[16p-W9_327-3] Investigation of the phase-change behavior of Zn-Te-based thin films and application to non-volatile memory

〇(M1C)Kokoro Sawada¹, Yi Shuang^1,2, Daisuke Ando¹, Yuji Sutou^1,2 (1.Tohoku Univ. (Eng.), 2.Tohoku Univ. (AIMR))

Keywords:

phase change random access memory,phase change material,Zn-Te thin film

相変化メモリは材料の相変化に伴う物性変化を利用したメモリであり、情報処理を担う揮発性メモリと情報記録を担う不揮発性メモリの性能のギャップを埋めることが期待されているが、アモルファス相と結晶相のスイッチングの際に溶融・急冷が必要となりその高消費エネルギーが課題となっている。そこで本研究では溶融を伴わない相変化が期待されるZn-Te系材料についてその相変化挙動と不揮発性メモリへの応用可能性を調査した。