Presentation Information
[17a-PA1-21]Digital Resistance Switching Characterization by using Operational Model in Circuit Simulator
〇Kei Yamashita1, Daisen Kanda1, Yusuke Nishi1 (1.NIT, Maizuru College)
Keywords:
ReRAM,Digital resistive switching
ReRAMが有する特性バラつきが大きい課題の解決に向け，回路シミュレータで抵抗変化特性を実現するモデルを確⽴するとともに，実測データとのフィッティングから物理的パラメータを抽出し特性バラつき要因の解析を試みる．結果より，低抵抗状態で実測点とモデルとの不⼀致が多く，急峻度の微⼩変化が発⽣しやすい傾向があることが確認された．