Presentation Information
[17a-PA3-4]Initial Thermal Oxynitridation of SiC(0001) Surface by Thermally Excited N2O Gas
〇(M1)Shota Ito1, Kaede Mukuno1, Yoshiharu Enta1 (1.Hirosaki University)
Keywords:
SiC,Themal Oxynitridation,XPS
SiC表面上のゲート絶縁膜の高品質化を念頭に、シリコン酸化膜中の窒素添加による SiO2/SiC界面改善効果が知られている。この効果の物理化学的しくみを理解するためには、界面および酸化膜中への窒素導入を高い精度で制御し、導入された窒素の原子配列・電子状態を分析し、デバイス性能との関連性を明らかにすることが重要である。本研究は、酸化膜形成に毒性の低い亜酸化窒素(N2O)ガスを用い、酸化と窒素添加を同時に行い、加えてN2Oは反応性が低いため反応性向上のための熱励起を行ない、その酸化反応に及ぼす影響を内殻準位光電子分光により分析した結果を報告する。