[17a-S2_202-1~12] 2.2 Radiation generators, Detector development, Measurement technology

11:30 AM - 11:45 AM JST(2:30 AM - 2:45 AM UTC)

[17a-S2_202-9] Evaluation of the pulsed neutron response of ¹⁰B-deposited SOI-CMOS detectors

〇Ayaki Takeda¹, Shinichi Kamada¹, Makishi Ijiri¹, Kenji Shimazoe², Kanta Nagai², Mizuki Uenomachi³ (1.Univ. of Miyazaki, 2.The Univ. of Tokyo, 3.Science Tokyo)

Keywords:

semiconductor,pulsed neutron

我々は、センサ層、回路層一体型の半導体放射線検出器「SOI-CMOS検出器」を用いて、高解像度で組成分析可能なパルス中性子イメージング検出器を開発している。本研究の第一歩として、我々が次世代宇宙Ｘ線観測のため開発している「XRPIXシリーズ」を用いて、パルス中性子に対する応答評価を行った。本講演では、これまでに得られた¹⁰B成膜SOI-CMOS検出器によるパルス中性子に対する応答評価の結果を報告する。