[D08-14p-VI] Surface Modification

4:15 PM - 4:30 PM JST(7:15 AM - 7:30 AM UTC)

[D08-14p-VI-06] 高速ガルバノスキャニング式連続発振レーザー照射による酸化インジウム半導体トランジスタの特性向上

*Hidetomo Takahashi^1,2, Xiaoqian Wang¹, Mamoru Furuta¹, Hiroshi Ikenoue¹ (1. Kochi University of Technology, 2. Tamari Industry Co., Ltd.)