一般社団法人レーザー学会学術講演会第46回年次大会
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16:15 〜 16:30

[D08-14p-VI-06]高速ガルバノスキャニング式連続発振レーザー照射による酸化インジウム半導体トランジスタの特性向上

*高橋 秀知1,2、Wang Xiaoqian1、古田 守1、池上 浩1 (1. 高知工科大学、2. （株）タマリ工業)

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