[C-10_C-11] Electron Devices/Silicon Device and Materials

8:45 AM - 9:00 AM JST(11:45 PM - 12:00 AM UTC)

[C-10_C-11-01] Evaluation Accuracy of SiC Ohmic Contact Resistivity Using Transfer Length Method

〇Koji Kotani¹, Yuma Ohashi¹, Takao Komiyama¹, Yasunori Chonan¹, Hiroyuki Yamaguchi¹, Naoki Wakabayashi² (1. Akita Prefectural University, 2. Sumitomo Heavy Industries)

Keywords:

Transfer Length Method,SiC,Contact Resistivity,Device Simulation

SiCショットキーダイオードにおいては，SiC基板と金属電極間のオーミックコンタクトの低抵抗化が重要である。コンタクト抵抗率の評価手法として，一般的にTLM法が用いられている。電極間隔を変化させた複数の電極間抵抗値の実測値から，コンタクト抵抗率と拡散層シート抵抗値を推定することが可能である。しかしながら，対象とするSiC基板拡散層の不純物濃度や厚さ，想定するコンタクト抵抗率の大きさに対して，TLM法によりどの程度の精度で評価できるのか，定量的には明らかではない。そこで，デバイスシミュレーションを用い，想定するパラメータに応じて，TLM法でのコンタクト抵抗率の評価精度がどの程度であるか検討を行なった。その結果，コンタクト抵抗率が1×10-4 Ωcm-2 以上の場合はおおむね誤差+10%以内で評価可能であることが明らかになった。