講演情報
[C-10_C-11-01]TLM法によるSiCオーミックコンタクト抵抗率の評価精度
〇小谷 光司1、大橋 祐斗1、小宮山 崇夫1、長南 安紀1、山口 博之1、若林 直木2 (1. 秋田県大、2. 住友重工)
キーワード：
TLM法、炭化ケイ素、コンタクト抵抗率、デバイスシミュレーション
SiCショットキーダイオードにおいては，SiC基板と金属電極間のオーミックコンタクトの低抵抗化が重要である。コンタクト抵抗率の評価手法として，一般的にTLM法が用いられている。電極間隔を変化させた複数の電極間抵抗値の実測値から，コンタクト抵抗率と拡散層シート抵抗値を推定することが可能である。しかしながら，対象とするSiC基板拡散層の不純物濃度や厚さ，想定するコンタクト抵抗率の大きさに対して，TLM法によりどの程度の精度で評価できるのか，定量的には明らかではない。そこで，デバイスシミュレーションを用い，想定するパラメータに応じて，TLM法でのコンタクト抵抗率の評価精度がどの程度であるか検討を行なった。その結果，コンタクト抵抗率が1×10-4 Ωcm-2 以上の場合はおおむね誤差+10%以内で評価可能であることが明らかになった。