[C-10_C-11] 電子デバイス/シリコン材料・デバイス

8:45 〜 9:00

[C-10_C-11-01] TLM法によるSiCオーミックコンタクト抵抗率の評価精度

〇小谷 光司¹、大橋 祐斗¹、小宮山 崇夫¹、長南 安紀¹、山口 博之¹、若林 直木² (1. 秋田県大、2. 住友重工)

キーワード：

TLM法、炭化ケイ素、コンタクト抵抗率、デバイスシミュレーション

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