[C-3_C-4] Optoelectronics / Lasers and Quantum Electronics

9:15 AM - 9:30 AM JST(12:15 AM - 12:30 AM UTC)

[C-3_C-4-11] RCWA 法を用いた裏面入射型フォトダイオードの受光感度向上検討

〇Kosuke Shinohara¹, Koki Izumi¹, Ryota Takemura¹, Harunaka Yamaguchi¹, Eitaro Ishimura¹ (1. Mitsubishi electric corporation)

Keywords:

Photodiode,RCWA,Photonic Crystal

面入射型フォトダイオードの高速化と受光感度の両立のため、層構造にフォトニック結晶層を導入した構造を検討した。まず、RCWA (Rigorous Coupled-Wave analysis)法を用いたプログラムを構築し、FDTD (Finite-Difference Time-Domain)法で計算した結果と比較することで、その妥当性を確認した。その後、初期検討として、単純なフォトダイオード構造にフォトニック結晶層を導入したモデルについて計算を行うことで、受光感度の向上を確認した。さらに、RCWAプログラムをCMA-ES (Covariance Matrix Adaptation Evolution Strategy)と組合せ、フォトニック結晶の位置、深さ、単位格子内に異屈折率領域が占める割合FF (Filling Factor)をパラメータとして、1310 nm付近の感度が最大となるような最適値を探索した結果を報告する。