[C-3_C-4] Optoelectronics / Lasers and Quantum Electronics

10:00 AM - 10:15 AM JST(1:00 AM - 1:15 AM UTC)

[C-3_C-4-14] Characteristics of a five-junction InGaAs photovoltaic device with a PIN structure

〇Ryoga Kakiuchi¹, Atsushi Kawashima¹, Kenta Mutsuzaki¹, Haruto Sato¹, Yuto Kaneko¹, Taisei Murakami¹, Makoto Takayanagi², Kouichi Akahane³, Shiro Uchida¹ (1. Chiba tech, 2. Mitsubishi Chemical Corp, 3. NICT)

Keywords:

OWPT

PIN構造を有する5接合InGaAs受光素子を作製し、1550 nmレーザを照射して光電変換効率のレーザ光入射強度依存を検討した。その結果、入射強度が200 mWのとき光電変換効率は最大となり、24.7 %が得られた。この結果は光無線給電の高効率化および高電圧化に対する有効性を示した。