講演情報
[C-3_C-4-14]PIN構造を有する5接合InGaAs光電変換素子の特性
〇垣内 凌雅1、川島 淳史1、六﨑 健太1、佐藤 温大1、金子 優翔1、村上 泰成1、高柳 真2、赤羽 浩一3、内田 史朗1 (1. 千葉工業大学、2. 三菱ケミカル、3. 情報通信研究機構)
キーワード：
光無線給電
PIN構造を有する5接合InGaAs受光素子を作製し、1550 nmレーザを照射して光電変換効率のレーザ光入射強度依存を検討した。その結果、入射強度が200 mWのとき光電変換効率は最大となり、24.7 %が得られた。この結果は光無線給電の高効率化および高電圧化に対する有効性を示した。