2018年春の年会
2018年3月26日〜3月28日大阪大学吹田キャンパス
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2018年3月26日〜3月28日大阪大学吹田キャンパス
[1A05]計測器の耐放射線化技術の検討
*桑名 諒1、増永 昌弘1、佐藤 慎太郎1、原 勲1、江川 恵造2、赤平 寿朗2(1. 日立製作所、2. 日立ハイテクソリューションズ)
キーワード：
計測器、耐放射線、半導体、γ線、オペアンプ、SiC
原子力発電プラント内で使用される計測器の更なる高信頼化のために、日立では耐放射線化技術の開発に着手した。今回、計測器が放射線によって受ける影響を分析した。Co60線源によるγ線照射試験を実施した結果、計測器を構成する部品のうち、半導体素子であるオペアンプが最も影響を受けやすく、積算0.3kGyで仕様範囲を逸脱することが分かった。対策として、オペアンプの母材を、ケイ素(Si)から耐放射線性に優れる炭化ケイ素(SiC)に変更することを検討した。SiCオペアンプを試作し、γ線照射試験を実施したところ、従来比の約100倍である30kGy以上の耐放射線性を確認した。今後は、本オペアンプを適用させた耐放射線性に優れる計測器を開発する予定である。