[C-10] 電子デバイス

10:45 〜 11:00学術奨励賞候補対象

[C-10-07] （依頼講演）表面活性化接合とドライエッチングを用いたダイヤモンド基板上分離GaNメサ構造の高温環境下における絶縁特性

◎砂本 陽成¹、末光 哲也²、嶋岡 毅紘³、山田 英明³、梁 剣波¹、重川 直輝¹ (1. 大阪公大、2. 東北大、3. 産総研)

キーワード：

表面活性化接合、窒化ガリウム、ダイヤモンド、絶縁特性