[C-11] シリコン材料・デバイス

9:00 〜 9:15

[C-11-01] 表面電位顕微鏡によるSiマイクロリボンのゼーベック係数測定

〇池田 浩也¹、中原 優斗¹、尾崎 晴哉¹、コティスワラン カライアラサン¹、ファイズ サレ²、早川 泰弘¹、濱崎 拡¹ (1. 静岡大、2. マラヤ大)

キーワード：

熱電発電、ゼーベック係数、表面電位顕微鏡、シリコンマイクロリボン

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