[C-2A] マイクロ波A

11:30 〜 11:45学術奨励賞候補対象キャリアエクスプローラー

[C-2A-10] 低閾値0.2μm GaAs E-pHEMT GAD の整流特性

◎△佐藤 悠介¹、坂井 尚貴¹、伊東 健治¹、加藤 岳²、野村 直樹² (1. 金沢工業大学、2. 日清紡マイクロデバイス)

キーワード：

GaAs、gated anode diode、マイクロ波