[C-3_C-4] 光エレクトロニクス／レーザ・量子エレクトロニクス | 2026年電子情報通信学会総合大会

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セッション詳細

一般セッションC．エレクトロニクスソサイエティ：C-3/C-4．光エレクトロニクス／レーザ・量子エレクトロニクス

[C-3_C-4]光エレクトロニクス／レーザ・量子エレクトロニクス

2026年3月12日(木) 9:00 〜 12:15

1号館　2階　N202(九州産業大学)

座長:硴塚孝明(早稲田大学)、前神有里子(国立研究開発法人産業技術総合研究所)

9:00 〜 9:15学術奨励賞候補対象

[C-3_C-4-22]S–C–Lバンドにおける高感度フォトントラップ型PD

◎原田瞬^1,2、梅沢俊匡²、中島慎也²、赤羽浩一²、川西哲也^1,2 (1. 早稲田大学、2. 国立研究開発法人情報通信研究機構)

9:15 〜 9:30

[C-3_C-4-23]InP/Si異種材料集積を用いたL帯向け小型コヒーレント受光素子

〇御手洗拓矢^1,2,4、沖本拓也^1,2,4,5、蘇武洋平^1,3、前田隼太郎⁵、木村峻^1,2、菊地健彦^1,2,4、井上尚子^1,2,4、藤原直樹^1,2,4、西山伸彦^1,4、種村拓夫⁵、田中信介^1,3、八木英樹^1,2,4 (1. 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所、2. 住友電気工業株式会社、3. 1FINITY株式会社、4. 東京科学大学、5. 東京大学)

9:30 〜 9:45

[C-3_C-4-24]超200 Gbaud 級InGaAs/InP 反転型フォトダイオードの長期信頼性

〇山田友輝¹、平岡郁恵¹、中島史人¹ (1. NTT先端集積デバイス研)

9:45 〜 10:00学術奨励賞候補対象

[C-3_C-4-25]広帯域実装による226.875-Gbit/s/λ PAM4伝送におけるリンクバジェット拡大

◎小菅祥平¹、吉松俊英¹、金澤慈¹、中西泰彦¹、中村考宏¹、辰己詔子¹、葉玉恒一¹ (1. NTTイノベーティブデバイス株式会社)

10:00 〜 10:15学術奨励賞候補対象

[C-3_C-4-26]Si上メンブレンInP系EA変調器の256Gb/s差動駆動

◎西崎健将¹、長島和哉¹、茂木孝史¹、若葉昌布¹、白石正彦¹、水船皓司¹、古庄裕也¹、平田宗雅¹、高井祐朔¹、米山翔¹、那須秀行¹、木本竜也¹、神徳正樹¹、開達郎^2,3、藤井拓郎^2,3、相原卓磨^2,3、佐藤具就^2,3、松尾慎治² (1. 古河電気工業株式会社、2. NTT株式会社先端集積デバイス研究所、3. NTT株式会社デバイスイノベーションセンタ)

10:15 〜 10:30