講演情報

12:30 〜 14:30

[P116]CrNに対する GaNの強制的固溶手段の検討

*水野遊星^1,2、鈴木常生² (1. ユニオンツール(株)、2. 長岡技科大)

ハードコーティング、遷移金属窒化物、窒化ガリウム、パルスレーザー堆積法

CrNに対してGaNを強制的に固溶させるため、Cr-Ga-N薄膜に新たにOを添加したCr-Ga-N-O薄膜を作製し、その特性評価を行った。Oを添加することでCrNに対するGaNの最大固溶量の増加が認められた。