講演情報

12:30 〜 14:30

[P35]高耐熱パワーデバイス用Niマイクロメッキ接合における電流密度の接合強度に与える影響

*中川将嘉¹、小野寺巧¹、和田佳子²、飯塚智徳²、巽宏平² (1. 早大情シス(院生)、2. 早大情シス)

Niマイクロメッキ接合、電流密度、接合強度

近年、自動車や電車向けのパワーデバイスは、SiCなどの次世代半導体の開発が進んでいる。本実験室では、山形リードフレームを用いたNiマイクロメッキ接合において電流密度が機械的性質に与える影響を明らかにした。