[P] P13~P15

[P14] 高圧ひずみを利用したSiGeの準安定相形成と電気的特性

*高井良 真里奈¹、生駒 嘉史¹、荒井 康智²、河野 正道¹、尾﨑 由紀子¹ (1. 九大工、2. JAXA)

キーワード：

HPT、SiGe、準安定相、比抵抗

TLZ成長によるSiGe結晶およびSi-Ge混合粉末のHPT加工を行った。TLZ結晶では準安定相であるbc8-SiGeが、混合粉末ではbc8-Siおよびst12-Geが得られた。比抵抗測定より、bc8-SiGeは半金属的であることが示唆された。