講演情報
[S5.9]Mn3-xFexGay薄膜の作製と磁気特性
*片山 靖和1、渡邊 彩恵2、嶋 敏之3、土井 正晶3 (1. 東北学院大学(院生)、2. 東北学院大学(学生)、3. 東北学院大学)
キーワード：
Mn-Fe-Ga thin film、perpendicular magnetic anisotropy、UHV-EB deposition system
Mn3-xFexGay薄膜において、膜厚の減少に伴う飽和磁化および磁気異方性エネルギーの上昇し、膜厚が1nm、x=1.5、y=1.0の試料において非常に大きな磁気異方性エネルギーKu=20.1 Merg/cm3が確認された。