[P] P4~P12

13:00 〜 14:30

[P4] C11_b Cr-Al薄膜における磁気抵抗効果の電流・磁場方位依存性

*井口 颯太¹、藤原 壮甫¹、豊木 研太郎²、白土 優²、中谷 亮一² (1. 大阪大工（院生）、2. 大阪大工)

キーワード：

反強磁性体、磁気抵抗効果

TMR素子の反強磁性層として有望であるC11_b Cr₂Alに着目した．C11_b Cr₂Al薄膜の磁気抵抗効果および，それから推測される磁気構造について報告する．