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1:00 PM - 2:30 PM JST(4:00 AM - 5:30 AM UTC)

[P4]Electric current and magnetic field direction dependence of magnetoresistance effect
in C11_b Cr-Al thin film

*Sota IGUCHI¹, Sosuke FUJIWARA¹, Kentaro TOYOKI², Yu SHIRATSUCHI², Ryouichi NAKATANI² (1. Osaka Univ. (master's student), 2. Osaka Univ.)

反強磁性体,磁気抵抗効果

TMR素子の反強磁性層として有望であるC11_b Cr₂Alに着目した．C11_b Cr₂Al薄膜の磁気抵抗効果および，それから推測される磁気構造について報告する．