講演情報

15:30 〜 17:00

[P186]遷移金属窒化物CrNの強制他元素置換による強い電子相関の発現

*菅井匠¹、鈴木常生¹ (1. 長岡技科大)

遷移金属窒化物、窒化クロム、パルスレーザー堆積法、エピタキシャル成長、電気伝導性、電子相関

FeN含有量の異なるエピタキシャル(Cr,Fe)N薄膜を多数作製し、電気伝導性に対するFeN含有量依存性を明らかにすることを目的とした。冷凍機を使用し、4端子法による5∼300 Kまでの電気抵抗率の温度依存性を測定した。