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3:30 PM - 5:00 PM JST(6:30 AM - 8:00 AM UTC)

[P186]Appearance of strong electron correlation by forced substitution of other element in transition metal nitride CrN

*Takumi SUGAI¹, Tsuneo SUZUKI¹ (1. Nagaoka Univ. Tech)

遷移金属窒化物,窒化クロム,パルスレーザー堆積法,エピタキシャル成長,電気伝導性,電子相関

FeN含有量の異なるエピタキシャル(Cr,Fe)N薄膜を多数作製し、電気伝導性に対するFeN含有量依存性を明らかにすることを目的とした。冷凍機を使用し、4端子法による5∼300 Kまでの電気抵抗率の温度依存性を測定した。