講演情報
[S8.3]4H-SiC結晶の昇華法成長および溶液法/昇華法を組み合わせたハイブリッド成長における貫通らせん転位伝播挙動のオフ角依存性
*江藤 数馬1、三谷 武志1、百瀬 賢治2、加藤 智久1 (1. 産総研、2. 昭和電工)
キーワード：
SiC、バルク成長、ハイブリッド成長、貫通らせん転位、転位変換
4H-SiC結晶における溶液法と昇華法を組み合わせたハイブリッド成長技術での転位変換メカニズムの理解深化のため、種々のオフ角基板を用いた成長を実施し、TSD変換と基底面欠陥の伝播挙動を調べた。