日本金属学会2022年秋期(第171回)講演大会
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セッション詳細

公募シンポジウム講演

[S8]S8.ワイドギャップ結晶の材料学と高温プロセッシングIV

2022年9月22日(木) 13:00 〜 17:00
E会場 D棟2階D24
座長:吉川 健(東京大学)、福山 博之(東北大学)、美濃輪 武久(信越化学工業)
※表示の講演時間には質疑応答時間も含みます。
（質疑応答時間5分、基調講演と招待講演は5～10分）
13:00 〜 13:40

[S8.1][基調講演]ワイドバンドギャップ半導体結晶の転位検出と解析

*石川 由加里1、姚 永昭1、菅原 義弘1、佐藤 功二1、横江 大作1 (1. 一般財団法人ファインセラミックスセンター)
13:40 〜 14:20

[S8.2][基調講演]多光子顕微鏡を用いたワイドギャップ半導体の欠陥評価技術

*谷川 智之1、西河 巴賀1、片山 竜二1 (1. 阪大院工)
14:20 〜 14:40

[S8.3]4H-SiC結晶の昇華法成長および溶液法/昇華法を組み合わせたハイブリッド成長における貫通らせん転位伝播挙動のオフ角依存性

*江藤 数馬1、三谷 武志1、百瀬 賢治2、加藤 智久1 (1. 産総研、2. 昭和電工)
14:40 〜 14:50

休憩

14:50 〜 15:30

[S8.4][基調講演]表面拡散場の非対称性が引き起こすステップ束の形成について

*佐藤 正英1 (1. 金沢大学学術メディア創成センター)
15:30 〜 15:50

[S8.5]SiC飽和条件下での溶液成長によるSiC微結晶由来マクロ欠陥の抑制

*三谷 武志1、川西 咲子2、CHAUSSENDE Didier3、吉川 健4 (1. 産総研、2. 東北大多元研、3. CNRS-SIMaP、4. 東大生研)
15:50 〜 16:10

[S8.6]SiC/C圧粉体へのSiの反応性含浸による高かさ密度SiC作製

*五十嵐 壮太1、川西 咲子2、三谷 武志3、Didier Chaussende4、吉川 健5、柴田 浩幸2 (1. 東北大工(院生)、2. 東北大多元研、3. 産業技術総合研究所、4. CNRS-SIMaP、5. 東大生研)
16:10 〜 16:20

休憩

16:20 〜 16:40

[S8.7]Growth Behavior of AlN on AlN/Sapphire Substrates
by Solution Growth Using Molten Ni-Al Alloy

*Minsoo PARK1, Makoto OHTSUKA1, Masayoshi ADACHI1, Hiroyuki FUKUYAMA1 (1. IMRAM, Tohoku Univ)
16:40 〜 17:00

[S8.8]Gibbs-Thomson溶媒を用いたSiC溶液成長時の成長速度の理論的検討

*樫村 知之1、吉川 健1、三浦 均2 (1. 東大、2. 名市大)
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