[P] P60~P76

13:00 〜 14:30

[P69] InNを変色層とする全固体型ECセルにおける絶縁層堆積条件の探索

*谷山 智樹¹、曽根原 千香²、井上 泰志³、高井 治⁴ (1. 千葉工大(学生)、2. TDK、3. 千葉工大(教授)、4. 関東学院大(教授))

キーワード：

エレクトロクロミック、窒化インジウム、絶縁膜、吸着誘起型EC現象、ITO薄膜

AiEC現象によって応答速度が速くなるECセルは表示デバイスへの応用が
期待されている.PVDで作成されたECセルはITO膜の間で絶縁性が確保で
きなかった.PVDで絶縁性を持つ完全固体ECセルの作成を目的とした.