[P] P1~P7

14:30 〜 16:00

[P7] AuSb合金を用いたMIC法で作製したGe薄膜の構造と電気特性

*加藤 雅基¹、弓野 健太郎^1,2 (1. 芝浦工大、2. 芝浦工大グリーンエレクトロニクス国際研究センター)

キーワード：

半導体薄膜

本研究では、MIC法を用いてGeの結晶化を試みた。先行研究でAuSbを用いた場合でも結晶化されることが判明した。今回は結晶粒の増大を期待して成膜順を変更し触媒金属薄膜、Ge薄膜の順で成膜した。