日本金属学会2023年春期(第172回)講演大会
2023年3月7日〜3月15日東京大学 駒場Ⅰキャンパス
日本金属学会2023年春期(第172回)講演大会
2023年3月7日〜3月15日東京大学 駒場Ⅰキャンパス
[P7]AuSb合金を用いたMIC法で作製したGe薄膜の構造と電気特性
*加藤 雅基1、弓野 健太郎1,2(1. 芝浦工大、2. 芝浦工大グリーンエレクトロニクス国際研究センター)
キーワード：
半導体薄膜
本研究では、MIC法を用いてGeの結晶化を試みた。先行研究でAuSbを用いた場合でも結晶化されることが判明した。今回は結晶粒の増大を期待して成膜順を変更し触媒金属薄膜、Ge薄膜の順で成膜した。