[P] P67~P75

14:30 〜 16:00

[P67] 照射欠陥導入によるGe微細構造形成における膜厚依存性

*出戸 仁一朗¹、大石 脩人¹、新田 紀子² (1. 高知工大（院生）、2. 高知工大)

キーワード：

イオンビーム、照射欠陥、薄膜、ポーラス構造、Ge

半導体材料であるGeにイオンビームを照射すると、ナノポーラス構造が形成される。構造形成における薄膜の影響を電子顕微鏡によって調べた。