[P] P81~P85

16:30 〜 18:00

[P84] イオンビーム照射によるGe表面構造の角度重畳効果の検証

*宮田 澪¹、大石 脩人¹、新田 紀子² (1. 高知工大 (院生)、2. 高知工大)

キーワード：

Ge、ナノポーラス構造、点欠陥、イオンビーム角度重畳照射

特定の半導体材料にイオンビーム照射を行うと点欠陥の自己組織化及びスパッタリングによって表面にナノポーラス構造が形成される。重畳照射の違いによって試料表面に異なる構造が形成された。