講演情報

12:00 〜 13:30

[P79]Agを触媒としてMIC法で作製したGe薄膜の結晶化と特性評価

*長洸太¹、浅野友太¹、弓野健太郎^1,2 (1. 芝浦工大(院生)、2. 芝浦工業大学半導体人材育成センター)

半導体、低温結晶、薄膜トランジスタ、MIC法、金属誘起結晶化法

薄膜トランジスタ（TFT）のチャンネル層にGeが注目され、低温結晶化によりフレキシブルデバイスへの応用が期待される。逆積層のMIC法を用い、AgとGeの膜厚の影響を調査した。