[P] P92~P99

16:00 〜 17:30

[P99] TM-Ge-Te系セレクタ材料薄膜におけるアモルファス相の耐熱性

*濱野 恵佑^1,2、竹内 英輔¹、畑山 祥吾²、齊藤 雄太³、フォンス ポール⁴ (1. 慶大理工(院生）、2. 産総研、3. 東北大、4. 慶大理工)

キーワード：

相変化材料、アモルファス、遷移金属、OTS

次世代の不揮発性メモリとして注目される相変化メモリに使われるセレクタに関して、遷移金属添加により材料の耐熱性向上を目指す。