[P] P100~P104

16:00 〜 17:30

[P103] Ag触媒を用いたMIC法による多結晶Ge薄膜の成膜プロセスおよび電気特性

*渡部 祐大¹、小林 和矢¹、弓野 健太郎^1,2 (1. 芝浦工業大学、2. 芝浦工業大学グリーンエレクトロニクス国際研究センター)

キーワード：

半導体薄膜、Ge、層交換

本研究ではAgを触媒としたMIC法により低温で多結晶Ge薄膜を作製を試み，作製した薄膜の成膜プロセスとトランジスタ特性を調べた．