講演情報

14:00 〜 15:30

[P39]斜入射反応性蒸着法による離散的ナノ柱状構造化InN薄膜堆積における空隙制御法の探索

*渡邉将騎¹、井上泰志¹、西尾舞雪²、高井治¹ (1. 千葉工大、2. 関東学院大)

InN薄膜、斜入射堆積法、空隙制御、蒸着

窒化インジウムはエレクトロクロミック(EC)材料である．他のEC材料と比較して色変化の速度が速い．しかしその速度を決定する要因はわかっていない．本研究では，様々な方法をで空隙を制御する方法を探索した．